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原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

書籍データ

平成14年度〜平成16年度科学研究費補助金(基盤研究(A)(2))研究成果報告書

著者名:研究代表者 田中悟他の作品を見る

出版社:北海道大学電子科学研究所

発売日:2006.3

65p 30cm

ISBN:

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