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省電力LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜スケーリング手法の構築 <科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書>

省電力LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜スケーリング手法の構築 <科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書>

書籍データ

平成18年度~平成19年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書

著者名:研究代表者 中島寛他の作品を見る

出版社:九州大学

発売日:2008.5

1冊 30cm

ISBN:

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