Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 ＜アドバンストエレクトロニクスシリーズ エレクトロニクス材料・物性・デバイス 1＞

赤崎勇 編著、培風館、1994.5

353p 22cm

4563036013

電子デバイスの基礎と応用

長谷川文夫, 本田徹 共著、産業図書、2011.9

235p 21cm

978-4-7828-5555-3

産業医学レビュー 9(1)

Occupational health review

産業医学振興財団産業医学情報室、産業医学振興財団、1996-05

冊 26cm

日本金属学会会報 25(3)

Bulletin of the Japan Institute of Metals

日本金属学会　丸善出版事業部、1986-03

冊 30cm

半導体工学 ＜セメスター大学講義 / 川邊潮 木村英俊 多田隈進 編＞

川邊潮, 齊藤忠 著、丸善、2000.2

223p 21cm

4621047205

分子線エピタキシー ＜アドバンストエレクトロニクスシリーズ エレクトロニクス材料・物性・デバイス 1 10＞

権田俊一 編著、培風館、1994.11

349p 22cm

4563036102

早稲田大学理工学研究所報告 (131)

Bulletin of Science and Engineering Research Laboratory,Waseda University Bulletin of Science and Engineering Research Laboratory Waseda University

早稲田大学理工学研究所 [編]、早稲田大学理工学研究所、1991-05

冊 26cm

質量分析 32(2)(105)

Journal of the Mass Spectrometry Society of Japan

日本質量分析学会、1984-06

冊 26cm

全有機金属原料気相エピタキシー法による3-5族化合物半導体の成長技術に関する研究

[本昭浩]、2001

電子工業月報 18(8)(166)

日本電子工業振興協会 [編]、日本電子工業振興協会、1976-08

冊 30cm

電子通信学会誌 = The Journal of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan 62(10)(665)

The Journal of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan

電子通信学会 [編]、電子通信学会、1979-10

冊 26cm

NTT R & D 40(3)

NTT先端技術総合研究所 企画編集、電気通信協会、1991-03

冊 28cm

金属 54(11)(778)

Materials science & technology

アグネ社、アグネ技術センター、1984-11

冊 26cm

Siに格子整合する3-5族化合物半導体の創成と無転位量子井戸構造の形成に関する研究

[藤本康弘]、2001

Si基板上のⅢ-Ⅴ族化合物半導体のヘテロエピタキシーにおける結晶欠陥の発生・抑制機構に関する研究

大阪府立工業技術研究所報告 (77)

Reports of Osaka Prefectural Industrial Research Instute

大阪府立工業技術研究所、大阪府立工業技術研究所、1980-09

冊 26cm