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原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

平成14年度〜平成16年度科学研究費補助金(基盤研究(A)(2))研究成果報告書

研究代表者 田中悟、北海道大学電子科学研究所、2006.3

65p 30cm

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